IRFH5210TRPBF

1. Nižje izgube prevodnosti
2. Omogoča boljše odvajanje toplote
3. Povečana zanesljivost
4. Povečana gostota moči
5. Združljivost z različnimi ponudniki
6. Lažja izdelava
7. Okolju prijaznejši
8. Povečana zanesljivost

Številka dela proizvajalca: IRFH9310TRPBF
Proizvajalec / Blagovna znamka Mednarodni usmernik (Infineon Technologies)
Del opisa: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status brez svinca/Status RoHS: Brez svinca/Skladno z RoHS
Stanje zaloge: Nov original, 12000 kosov na zalogi.
Pošiljanje iz: Hong Kong
Način pošiljanja: DHL/Fedex/TNT/UPS
Atribut izdelka Vrednost atributa Izberite atribut
Številka dela IRFH9310TRPBF
Proizvajalec/blagovna znamka International Rectifier (Infineon Technologies)
Količina na zalogi 12000 kosov Zaloga
Kategorija Diskretni polprevodniški izdelki > Tranzistorji - FET, MOSFET - enojni
Opis MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stanje brez svinca/Status RoHS: Brez svinca/Skladno z RoHS
Širina - znotraj -55°C ~ 150°C (TJ)
Napetost/tok - Izhod 1 PQFN (5x6)
Toleranca 5250pF pri 15V
Tip repa P-kanal
Koračni MOSFET (kovinski oksid)
Temperatura skrčenja Infineon Technologies
Tip SFP/XFP ±20V
Oddaljena zmogljivost HEXFET®
Nagib - površinska montaža kabla
Druga imena Brez svinca / Skladno z RoHS
Druga imena 1
Vrsta oscilatorja 8-PowerVDFN
Število DAC-jev 30V
Najmanjša specifična teža tekočine -
Usmerjenost parjenja 4,6 mOhm pri 21 A, 10 V
Proizvajalčeva številka dela IRFH9310TRPBFDKR-ND
Dolžina - Barrel Digi-Reel®
Barva žarnice 4,5 V, 10 V
Visoka stranska napetost - največ (bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Funkcija 58nC @ 4,5V
Moč tuljave aktivna
Kapacitivnost kanala (CS(izklopljeno), CD(izklopljeno)) 3,1 W (Ta)
Vrsta bralnika kartic 2,4 V pri 100 µA
Značilnosti in prednosti
Lastnosti Posledične prednosti
Nizek RDSon (≤ 4,6 mΩ) Manjše prevodne izgube
Industrijski standardni paket PQFN Združljivost z več ponudniki
Skladno z RoHS, ne vsebuje svinca, bromidov in halogenov, okolju prijaznejše
Rezultati v
Opomba
Količina obrazca
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm trak in kolut 4000
Številka dela, ki ga je mogoče naročiti Vrsta paketa Standardni paket
VDS -30 V
RDS (vklopljen) maks
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipično) 110 nC
RG (tipično) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolutne največje ocene
Enote parametrov
VDS napetost odvoda do izvora
VGS napetost od vrat do izvora
ID @ TA = 25 °C Trajni odvodni tok, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 °C Trajni odvodni tok, VGS @ -10 V
ID @ TC = 25 °C Trajni odvodni tok, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70 °C Trajni odvodni tok, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID pri TC = 25 °C neprekinjen odvodni tok, VGS pri -10 V (paket omejen)
IDM Impulzni odvodni tok
PD @TA = 25 °C Disipacija moči
PD @ TA = 70 °C Disipacija moči
Linearni faktor zmanjšanja W/°C
TJ Operating Junction in
Temperaturno območje shranjevanja TSTG
Ponavljajoče se ocenjevanje;impulzna širina omejena z max.temperatura spoja.
Začetni TJ = 25 °C, L = 1,1 mH, RG = 50 Ω, IAS = -17 A.
širina impulza ≤ 400 µs;delovni cikel ≤ 2 %.
Ko je nameščen na 1-palčno kvadratno bakreno ploščo.
Rθ se meri pri TJ približno 90 °C.
SAMO za POMOČ PRI OBLIKOVANJU, ni predmet proizvodnega testiranja.